Yarı iletken teknolojisini kullanmakta dünya lideri olan Samsung Electronics, Gate-All-Around (GAA) transistör mimarisini uygulayan 3 nanometre (nm) işlem düğümünün ilk üretimine başladığını duyurdu.
Samsung Electronics, 3nm işleminin 5nn’lik bir işleme göre %45 daha az güç kullandığını, performansı %23 artırdığını ve %16 daha az yüzey alanı kullandığını söylüyor. İşlem düğümü, elektriğin daha düşük bir voltaj seviyesinde kullanılması için girişlerde daha büyük kanallara sahip bir GAA transistör mimarisini içeriyor. Bunun nedeni olarak ise FinFET mimarisinin aksine kanalların dört tarafının da kullanılıyor olması gösteriliyor.
3nm işlem düğümünün uyarlanabilirliği, kanal genişliğinin belirli müşteri taleplerini karşılamak için değiştirilebileceği anlamına geliyor. Bu sayede daha büyük bir müşteri portföyüne ulaşılabilecek. 3nm çiplerin geliştiriliyor olması, Samsung’a pazarda bir destek sağlıyor.
Samsung, dünyanın en büyük ikinci üreticisi bununla birlikte, dünya üzerinde en çok tercih edilen yonga üreticisidir. Dünya çapında en büyük sözleşme tabanına sahip olan Samsung’un rakiplerinin en büyüğü olan TSMC, de kendi 3nm proses düğümünü kullanarak seri üretime başlamaya hazırlanıyor.
Samsung Gelişmiş Döküm Ekosistemi (SAFE) ortakları, Samsung’un 3nm çipler kilometre taşına ulaşmasına yardımcı olmada önemli bir rol oynuyor. Samsung, gelecekte 3nm işlem düğümünün uygulanabilirliğini mobil CPU’lara genişletmeyi hedefliyor. Samsung, 3nm yongaların üretildiği OEM’in kimliği konusunda ise şuan için sessiz kalıyor. 3nm çipleri kullanan ilk mobil cihazların ise 2023’te piyasaya sürülmesi bekleniyor.
