IBM ve Samsung, San Fransisco’daki IEDM konferansında, transistörleri bir çip üzerinde dikey olarak istiflemek için yeni bir tasarım ortaya çıkardılar. Bu tasarım ile de yarı iletken tasarımında bir atılım ortaya çıkardıklarını duyurdular.
Yeni Dikey Aktarım Alan Etkili Transitörlerde (VTFET), transistörler birbirine dik oturuyor ve akım bunların içinde dikey bir şekilde akıyor. Mevcut işlemcilerde transistörler yüzeyde düz duruyor ve elektrik akımı bir yandan diğer yana akıyor.
Bu yeni transistör türü, şu anda mevcut olan herhangi bir transistöre kıyasla çip başına bu bileşenlerin daha fazla yoğunluğa sahip olmasına izin verebiliyor. Bu sayede, geliştirilmiş güç verimliliği veya performansı için potansiyele sahip olduğu görülüyor.
Bu yeni tasarımla IBM ve Samsung, Moore Yasasını nano tabaka eşiğinin ötesine taşımayı ve daha az enerji harcamayı umuyor. Şirketler ayrıca FinFET transistörlerle tasarlanan çiplere göre performansı ikiye katlayacağını veya yüzde 85 daha az güç kullanacağını söylüyor.
Bu yeni transistör türleri üzerinde çalışan sadece IBM ve Samsung değil. Yonga seti üreticisi Intel alandan tasarruf etmek, ara bağlantı uzunluklarını azaltmak ve çipleri daha uygun maliyetli ve daha iyi performans göstermek enerjiden tasarruf etmek için üst üste yığılmış çiplerle denemeler yapıyor. Intel, yeni “Intel 20A” düğümünü ve RibbonFET transistörlerini kullanarak 2024 yılına kadar angstrom ölçekli yongaların tasarımını tamamlamayı hedefliyor.
